Układ fotodiody 1 mm InGaAs/InP PIN zapewnia doskonałą odpowiedź w zakresie od 900 nm do 1700 nm, układ fotodiody 1 mm InGaAs/InP PIN jest idealny do zastosowań w sieciach optycznych o wysokiej przepustowości 1310 nm i 1550 nm. Seria urządzeń oferuje wysoką responsywność, niski prąd ciemny i wysoką przepustowość, zapewniając wysoką wydajność i niską czułość konstrukcji odbiornika. Urządzenie to jest idealne dla producentów odbiorników optycznych, transponderów, modułów transmisji optycznej oraz kombinacji fotodiody PIN – wzmacniacza transimpedancyjnego.
Układ fotodiody 1 mm InGaAs/InP PIN zapewnia doskonałą odpowiedź w zakresie od 900 nm do 1700 nm, układ fotodiody 1 mm InGaAs/InP PIN jest idealny do zastosowań w sieciach optycznych o wysokiej przepustowości 1310 nm i 1550 nm. Seria urządzeń oferuje wysoką responsywność, niski prąd ciemny i wysoką przepustowość, zapewniając wysoką wydajność i niską czułość konstrukcji odbiornika. Urządzenie to jest idealne dla producentów odbiorników optycznych, transponderów, modułów transmisji optycznej oraz kombinacji fotodiody PIN – wzmacniacza transimpedancyjnego.
Układ fotodiody 1 mm InGaAs/InP PIN zapewnia doskonałą odpowiedź w zakresie od 900 nm do 1700 nm, układ fotodiody 1 mm InGaAs/InP PIN jest idealny do zastosowań w sieciach optycznych o wysokiej przepustowości 1310 nm i 1550 nm. Seria urządzeń oferuje wysoką responsywność, niski prąd ciemny i wysoką przepustowość, zapewniając wysoką wydajność i niską czułość konstrukcji odbiornika. Urządzenie to jest idealne dla producentów odbiorników optycznych, transponderów, modułów transmisji optycznej oraz kombinacji fotodiody PIN – wzmacniacza transimpedancyjnego.
Zakres wykrywania 900nm-1650nm;
Wysoka prędkość;
Wysoka responsywność;
Niska pojemność;
Niski prąd ciemny;
Górna oświetlona konstrukcja planarna.
Monitorowanie;
przyrządy światłowodowe;
Komunikacja danych.
| Parametr | Symbol | Wartość | Jednostka |
| Napięcie wsteczne | VRmax | 20 | V |
| Temperatura robocza | Topr | -40 do +85 | ℃ |
| Temperatura przechowywania | Tstg | -55 do +125 | ℃ |
| Parametr | Symbol | Stan: schorzenie | Min. | Typ. | Maks. | Jednostka |
| Zakres długości fali | λ | 900 | - | 1650 | Nm | |
| Reakcja | R | λ=1310nm | 0.85 | 0.90 | - | A/W |
| λ=1550nm | - | 0.95 | - | |||
| λ=850nm | - | 0.20 | - | |||
| Prąd ciemny | ID | Vr=5V | - | 1.5 | 10.0 | nie dotyczy |
| Pojemność | C | VR=5V, f=1MHz | - | 50 | 80 | pF |
| Przepustowość (3dB w dół) | Bw | V=0V, RL =50Ω | - | 40 | - | MHz |
| Parametr | Symbol | Wartość | Jednostka |
| Średnica obszaru aktywnego | D | 1000±10 | hmm |
| Średnica podkładki wiązania | - | 120±3 | hmm |
| Rozmiar matrycy | - | 1250x1250 (±30) | hmm |
| Grubość matrycy | t | 180±20 | hmm |
Wszystkie produkty zostały przetestowane przed wysyłką;
Wszystkie produkty mają 1-3 lata gwarancji. (Po okresie gwarancji jakości zaczął naliczać odpowiednią opłatę za konserwację.)
Doceniamy Twój biznes i oferujemy natychmiastową 7-dniową politykę zwrotów. (7 dni po otrzymaniu przedmiotów);
Jeśli przedmioty, które kupujesz w naszym sklepie, nie są doskonałej jakości, to znaczy nie działają elektronicznie zgodnie ze specyfikacjami producentów, po prostu zwróć je nam w celu wymiany lub zwrotu pieniędzy;
Jeśli produkty są wadliwe, prosimy o powiadomienie nas w ciągu 3 dni od dostawy;
Wszelkie przedmioty muszą zostać zwrócone w oryginalnym stanie, aby kwalifikować się do zwrotu lub wymiany;
Kupujący jest odpowiedzialny za wszystkie poniesione koszty wysyłki.
Odp .: Mamy układ fotodiody InGaAs o obszarze aktywnym 0,3 mm 0,5 mm 1 mm 2 mm.
P: Jakie są wymagania dotyczące złącza?Odp.: Box Optronics może dostosować się do twoich wymagań.
Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - Chiny Moduły światłowodowe, producenci laserów sprzężonych z włóknami, dostawcy komponentów laserowych Wszelkie prawa zastrzeżone.
